双重曝光，我会联系国内的晶圆厂商定向研发的。”

辛梦真眼神亮了亮：“双重曝光技术你有资料吗，我看到《自然》上提到双重曝光需要光刻机设备本身支持所需的基本硬件功能，提到了工件台控制硅片纳米级移动和定位，给了我一些灵感，但说得不是很细，我一直在找这项技术的资料。”

“有。”陈学兵点头道：“相关论文还没有面世，不过我这里有2006年12月ied（国际电子器件会议）的影像资料，台积电介绍了半个多小时，我可以发给你，以后你想要什么半导体资料找我就行了，有专人给我搜集。”

“那太好了！”辛梦真有些迫不及待，“是怎么曝光的？居然能绕过单次曝光的分辨率限制？”

双重曝光若变为四重曝光，那就是打开新制程大门的钥匙！

“这个有个公式，我给忘了，大概就是分辨率不够的情况下光的衍射效应会导致图案变得模糊不清，但通过芯片图案拆分，用两次曝光来完成光刻，降低每次曝光图案的密度的话，就能避免感光的相互干扰、重叠，然后通过纳米级精度的对准，确保两次曝光的图案能完美拼合，达到图案密度加倍的效果不过对设备精度要求很高。”

“哦”辛梦真想通了一些关键，神色沉了沉：“那如果要照这个方式进行四次曝光，光套刻误差就要翻两倍了。”

她家里是做代工的，精密设备了解得不少，自然知道自动化仪器精密度要提升两倍，起码要好几年的时间，甚至十来年。

陈学兵亦轻笑：“当然，这方法良率太低了，如果没有工业精度突破，往下曝光的成本核爆式增长，要完成四次曝光，应该需要更精密的方式吧，这玩意也不是什么超越制程限制的魔法，顶多只是材料技术和精密技术的另一种表现。”

用多重曝光的方式往下追制程，同样需要时代的整体进步，光刻胶多次曝光后胶体龟裂，掩膜版精度够不够细，duv精度能不能对齐，ffet工艺能否整合，有没有对应制程的eda软件来拆分芯片设计图，哪一步都是大坎。

不过有这个路径，总比euv制造简单多了，如果能持续搞到最新版套刻精度的duv，便可以跟着先进世代屁股后面玩到7纳米，甚至是5纳米。

他不断查阅技术资料，找人给他解释，对光刻机原理逐渐明了，前世的一些散碎认知更加清晰了。

只是多重曝光这个升级方向还要晶圆厂来完成，能暗中搞到先进duv的中芯国际最近好像也焦头烂额，03年刚上市就被台积电告了一遭，05年顶不住了，庭外和解赔了175亿美元，结果去年又被告了，索赔更高，还要股份。

这次还要求张汝京下课。

张汝京是个好人。

甚至是个伟大的人，脱离了低级趣味的人，为中国半导体奠基的人。

但陈学兵也只能在心里为他唱缅了，他是希望张汝京早点在官司中落败退出来的，台积电不彻底和解，总是惦记着他，中芯国际的多重曝光之路就很难走。

毕竟双重曝光是台积电的专利。

ied的录像他看得明明白白，台积电把原理讲得很细，双重曝光技术需要光刻机、光刻胶、eda工具、量测设备等整个供应链的配合，他们在

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